资讯动态

压力传感器的演变过程

文字:[大][中][小] 手机页面二维码 2020/5/28     浏览次数:    

  压力传感器的演变历史得追溯到1945年,经历了漫长的工业发展和技术革新,压力传感器的功能和生产不断提升,到现在还在不断的改进。下面德国EGE传感器的小编就来具体说说演变的过程吧。

  1发明阶段(1945-1960年):这个阶段主要是以1947年双极性晶体管的发明为标志。此后,半导体材料的这一特性得到较广泛应用。史密斯(C.S.Smith与1945发现了硅与锗的压阻效应,即当有外力作用于半导体材料时,其电阻将明显发生变化。依据此原理制成的压力传感器是把应变电阻片粘在金属薄膜上,即将力信号转化为电信号进行测量。此阶段最小尺寸大约为1cm

德国EGE传感器

  2技术发展阶段(1960-1970年):随着硅扩散技术的发展,技术人员在硅的001或(110晶面选择合适的晶向直接把应变电阻扩散在晶面上,然后在背面加工成凹形,形成较薄的硅弹性膜片,称为硅杯[3]这种形式的硅杯传感器具有体积小、重量轻、灵敏度高、稳定性好、成本低、便于集成化的优点,实现了金属-硅共晶体,为商业化发展提供了可能。

  3商业化集成加工阶段(1970-1980年):硅杯扩散理论的基础上应用了硅的各向异性的腐蚀技术,扩散硅传感器其加工工艺以硅的各项异性腐蚀技术为主,发展成为可以自动控制硅膜厚度的硅各向异性加工技术,主要有V形槽法、浓硼自动中止法、阳极氧化法自动中止法和微机控制自动中止法。由于可以在多个表面同时进行腐蚀,数千个硅压力膜可以同时生产,实现了集成化的工厂加工模式,成本进一步降低。

  4微机械加工阶段(1980年-今):上世纪末出现的纳米技术,使得微机械加工工艺成为可能。

  通过微机械加工工艺可以由计算机控制加工出结构型的压力传感器,其线度可以控制在微米级范围内。利用这一技术可以加工、蚀刻微米级的沟、条、膜,使得压力传感器进入了微米阶段。

返回上一步
打印此页
在线咨询
在线咨询在线咨询
在线客服:
13955149698

请扫描二维码访问手机站

[向上]